VNQ660SP שבב מתג אלקטרוני מקורי חדש להספק ספוט IC מעגל-משולב מעגל-משולב SOP-10

VNQ660SP הוא מעגל-משולב (IC) מתג צד גבוה בעל ארבעה ערוצים עם התנגדות נמוכה ויכולת זרם גבוהה. הוא משתמש בטכנולוגיית STripFET III Mosfet של STMicroelectronics עבור יישומי מיתוג הספקת-כוח.

VNQ660SP ארוז ב-PowerSO-10, שהוא מארז להרכבה משטחית המשלב התנגדות נמוכה, דירוג זרם גבוה וביצועים תרמיים מעולים. חבילת PowerSO-10 מורכבת מ-10 מוליכים, עם כרית חיבור מרכזית וגוף קירור מתכתי בחלק העליון. לחבילה טביעת רגל של 10.4 מ"מ x 10.4 מ"מ וגובה של 2.3 מ"מ. החבילה יכולה להתמודד עם עד 270 אמפר של זרם רציף ועד 175 מעלות צלזיוס של טמפרטורת צומת.

VNQ660SP משתמש בחיבור סרט פנימי בלעדי כדי לחבר את המוט למובילים. זה מפחית את השראות טפילית והתנגדות, ומשפר את הביצועים החשמליים והתרמיים של החבילה. החבילה כוללת גם טעינת שער נמוכה, המפחיתה את הפסדי המיתוג ומגדילה את יעילות המעגל.

VNQ660SP משלב ארבעה Mosfets N-channel, כל אחד עם פין קלט ייעודי וסיכת פלט משותפת. ה-Mosfets מבוססים על טכנולוגיית Mosfet במתח נמוך STripFET III מבית STMicroelectronics, המציעה התנגדות נמוכה במיוחד וצפיפות זרם גבוהה. STripFET III Mosfets מבוססים על מבנה שער תעלה ותהליך סיליקון קנייני הממזער את הפסדי ההולכה והמיתוג. STripFET III Mosfets זמינים בין 20 V ל 75 V של מתח התפרקות, ובין 1 mOhm ל 10 mOhm של התנגדות על.

VNQ660SP מספק מספר תכונות הגנה, כגון הגבלת זרם, זיהוי עומס פתוח, טמפרטורת יתר ומתח יתר. ההתקן כולל גם פלט דגל מצב המציין את קיומו של מצב תקלה. המכשיר פועל מטווח מתח אספקה של 6 V עד 36 V, ויש לו זמן טיפוסי של 70 μs וזמן כיבוי טיפוסי של 140 μs.

VNQ660SP מתאים ליישומי מיתוג חשמל שונים, כגון ממירי DC-DC, כונני מנועים, מערכות ניהול סוללות ומתגי עומס. הוא יכול לספק יעילות גבוהה, אמינות גבוהה וצפיפות הספק גבוהה עבור יישומים אלה.

VNQ660SP הוא חלק מפורטפוליו התקני הכוח של STMicroelectronics, הכולל טרנזיסטורים בדידים, דיודות, IGBTs, תיריסטורים ומודולי הספק. STMicroelectronics היא יצרנית מובילה של התקני כוח, עם למעלה מ-30 שנות ניסיון וחדשנות בתחום. STMicroelectronics שואפת לספק את הפתרונות הטובים ביותר לניהול והמרת הספקת-כוח, ולאפשר עתיד בר-קיימא של אנרגיה נקייה.